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NTE332 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Complementary Transistors - NTE

भाग संख्या NTE332
समारोह Silicon Complementary Transistors
मैन्युफैक्चरर्स NTE 
लोगो NTE लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=NTE332?> डेटा पत्रक पीडीएफ

NTE332 pdf
Electrical Characteristics (Cont’d): (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
BaseEmitter Saturation Voltage
BaseEmitter Voltage
DC Current Gain
VBE(sat)
VBE
hFE
IC = 10A, IB = 2.5A, Note 1
IC = 5A, VCE = 4V, Note 1
IC = 0.5A, VCE = 4V, Note 1
IC = 5A, VCE = 4V, Note 1
IC = 10A, VCE = 4V, Note 1
– – 2.5 V
– – 1.5 V
40 250
15 150
5––
Transistion Frequency
fT IC = 0.5A, VCE = 4V
3 – – MHz
Note 1. Pulsed; Pulse Duration = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.
.420 (10.67)
Max
.110 (2.79)
.147 (3.75)
Dia Max
.500
(12.7)
Max
.070 (1.78) Max
Base
.100 (2.54)
.250 (6.35)
Max
.500
(12.7)
Min
Emitter
Collector/Tab

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
NTE330Germanium PNP Transistor High Power SwitchNTE
NTE
NTE3300Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed SwitchNTE
NTE


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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