TTD1409B डाटा शीट PDF( Datasheet )
डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
| भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
| TTD1409B | NPN Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
TTD1409B
DESCRIPTION ·Collector–Emitter Breakdown Voltage—
: V(BR)CEO = 400V(Min) ·High DC Current Gain—
: hFE = 600(Min) @ IC= 2A |
 INCHANGE |
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| TTD1409B | NPN Transistor | INCHANGE |
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