डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
SCTW90N65G2V | Silicon carbide Power MOSFET SCTW90N65G2V
Datasheet
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
HiP247
D(2, TAB)
G(1) S(3)
3 2 1
Features
Order code
VDS
RDS(on) max.
SCTW90N65G2V
650 |
STMicroelectronics |
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SCTW90N65G2V | Silicon carbide Power MOSFET | STMicroelectronics |
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