R6030KNX डाटा शीट PDF( Datasheet )

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030KNX FEATURES ·Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 130mΩ(Max) ·100% avalanche tes

R6030KNX 　　Nch 600V 30A Power MOSFET 　　 Datasheet lOutline VDSS 600V 　 RDS(on)(Max.) 0.130Ω ID ±30A TO-220FM PD 86W 　 　　　　　　 lFeatures 1) Low on-resistance 2) Ultra fast