R6020ENJ डाटा शीट PDF( Datasheet )

isc N-Channel MOSFET Transistor R6020ENJ FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 196mΩ(Max) ·100% avalanche tes

R6020ENJ 　　Nch 600V 20A Power MOSFET 　　 Datasheet lOutline VDSS 600V TO-263S 　 RDS(on)(Max.) 0.196Ω SC-83 ID ±20A LPT(S) PD lFeatures 231W 　 　　　　　　 lInner circuit 1) Lo