डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
R6004ENJ | N-Channel MOSFET isc N-Channel MOSFET Transistor
R6004ENJ
FEATURES ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 980mΩ(Max) ·100% avalanche test |
INCHANGE |
|
R6004ENJ | Power MOSFET R6004ENJ
Nch 600V 4A Power MOSFET
Datasheet
lOutline
VDSS
600V
TO-263S
RDS(on)(Max.)
0.98Ω
SC-83
ID
±4.0A
LPT(S)
PD
lFeatures
58W
lInner circuit
1) Low |
ROHM |
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