डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
PNMT3400 | N-Channel MOSFET Description
Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low RDS(ON) High Speed switching
MOSFET Product Summary
VDS(V) 30
RDS(on)(mΩ) 28@VGS = 10V 33@VGS = 4.5V 52@VGS = 2.5V
|
Prisemi |
|
PNMT3400 | N-Channel MOSFET | Prisemi |
www.DataSheet.in | 2017 | संपर्क |