डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
NTH4L014N120M3P | SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, TO-247-4L
NTH4L014N120M3P
Features
• Typ. RDS(on) = 14 mW @ VGS = 18 V • Low Switching Losses (Typ. EON 1308 mJ at 74 A, 800 V) • 100% |
ON Semiconductor |
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NTH4L014N120M3P | SiC MOSFET | ON Semiconductor |
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