MIP2E3D डाटा शीट PDF( Datasheet )

I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60 IPD I MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4

インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2E3DMS シリコン MOS 形集積回路  特　長  軽負荷時の消費電力を大幅に削減  各種保護回路機能内蔵によりリア�

MIP2E3DMU MOS (IPD) ■ • • ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD 700 V VC 10 V ID 1.15 A IDP 1.60 A IC 0.1 A Tch 150 °C Tstg −55 ∼ +150 °C ■ • U-G4 • 1: Control 2: Source 3: Drain ■

(IPD) MIP2E3DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C 13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip 1.4±0.1 (9.3