डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
MBT6517LT1 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR RoHS
MBT6517LT1
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
* Collector Dissipation: Pc=225mW(Ta=25 )
* Collector-Emitter Voltage :Vceo=350V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25
DCharacteristic
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WEJ |
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MBT6517LT1 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | WEJ |
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