डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
ISCNH363N | Silicon NPN Power Transistor isc N-Channel MOSFET Transistor
ISCNH363N
FEATURES ·Drain Current : ID= 59A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage
: VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 36mΩ(Max) ·100% avalanche test |
INCHANGE |
|
ISCNH363N | Silicon NPN Power Transistor | INCHANGE |
www.DataSheet.in | 2017 | संपर्क |