logo

IRFP27N60KPBF DataSheet

No. Partie # Fabricant Description Fiche Technique
1
IRFP27N60KPBF

International Rectifier
HEXFET Power MOSFET
1.1N
•m) Units A W W/°C V V/ns °C Avalanche Characteristics Symbol EAS IAR EAR Parameter Single Pulse Avalanche Energy‚ Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Typ.
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. 530 27 50 Units mJ A mJ Thermal Resistance Symbol RθJ
Datasheet



Depuis 2018 :: D4U Semiconductor :: (Politique de confidentialité et contact