EMB16N06G डाटा शीट PDF( Datasheet )

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  16mΩ  ID  6.7A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead

SMD Type N-Channel Trench Power MOSFET EMB16N06G MOSFET Ƶ Features ƽ VDS (V) = 60V ƽ ID = 20 A (VGS = ±20V) ƽ RDS(ON) ˘ 15m¡ (VGS =10V) SOP-8 1.50 0.15 1 Source 2 Source 3 Source 4 Gate 5 Drain 6