डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
CTLM17NS10-R3 | N-Channel MOSFET CTLM17NS10-R3 N-Channel Enhancement MOSFET
Features
• Drain-Source Breakdown Voltage VDSS 100 V • Drain-Source On-Resistance
RDS(ON) 3Ω, at VGS= 10V, ID= 100mA RDS(ON) 3Ω, at VGS= 4.5V, ID= 100mA
℃� |
CT Micro |
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CTLM17NS10-R3 | N-Channel MOSFET | CT Micro |
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