डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
CEV2309 | P-Channel MOSFET CEV2309
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
-20V, -1.2A, RDS(ON) = 165mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 300mΩ @VGS = -2.5V.
High dense cell design for extremely low RDS(ON). |
CET |
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CEV2306 | N-Channel MOSFET | CET |
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CEV2309 | P-Channel MOSFET | CET |
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