डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
CEH3688 | N-Channel MOSFET CEH3688
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
30V, 3.0A, RDS(ON) = 78mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 100mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 155mΩ @VGS = 2.5V.
High dense cell design |
CET |
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CEH3688 | N-Channel MOSFET | CET |
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