डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
BL3435 | P-Channel Power Mosfet Production specification
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor BL3435
FEATURES
Electrostatic Sensitive Devices. VDS (V) =- 20V ID = -3.5 A(VGS = -4.5V) RDS(ON) < 70mΩ (VGS = -4. |
GME |
|
BL3435 | P-Channel Power Mosfet | GME |
www.DataSheet.in | 2017 | संपर्क |