3DD401 डाटा शीट PDF( Datasheet )

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD401 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEO= 150V(Min) ·Wide Area of Safe Operation ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD4013 A1D ○R 产品概述 3DD4013 A1D 是 硅 NPN 型功率开关晶体管，该 产品采用平面工艺，分压环 终端结构和少子寿命控制 技术，提

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD4013 A6D ○R 产品概述 3DD4013 A6D 是 硅 NPN 型功率开关晶体管，该 产品采用平面工艺，分压环 终端结构和少子寿命控制 技术，集

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD4013 B1D ○R 产品概述 3DD4013 B1D 是 硅 NPN 型功率开关晶体管，该 产品采用平面工艺，分压环 终端结构和少子寿命控制 技术，提

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD4018 A1D ○R 产品概述 3DD4018 A1D 是 硅 NPN 型功率开关晶体管，该 产品采用平面工艺，分压环 终端结构和少子寿命控制 技术，提