डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
2SD811 | Silicon NPN Transistor |
Toshiba |
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2SD811 | NPN Transistor isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SD811
DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 900V (Min) ·High Switching Speed ·Low collector saturation voltage ·Minimum Lot-to-Lot variation |
INCHANGE |
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