डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
2SD582 | NPN Transistor isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 140V(Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max.)@ IC= 7A ·Complement to Type 2SB612 ·M |
INCHANGE |
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2SD582A | Silicon NPN Transistor |
ETC |
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