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भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
TMAN10N80 | N-channel MOSFET Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification
TMAN10N80
VDSS = 880 V @Tjmax ID = 10A RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V
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TMAN10N80 | N-channel MOSFET | TRinno |
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