TH58NYG4S0FBAID डाटा शीट PDF( Datasheet )
डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
| भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
| TH58NYG4S0FBAID | 16 GBIT (2G x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TH58NYG4S0FBAID
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
16 GBIT (2G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
DESCRIPTION
The TH58NYG4S0F is a single 1.8V 16 Gbit (18,152,947,712 bits) NAND Electri |
 Toshiba |
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| TH58NYG4S0FBAID | 16 GBIT (2G x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM | Toshiba |
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