TC58NYG0S3EBAI4 डाटा शीट PDF( Datasheet )
डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
| भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
| TC58NYG0S3EBAI4 | 1 GBIT (128M x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TC58NYG0S3EBAI4
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
1 GBIT (128M × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
DESCRIPTION
The TC58NYG0S3E is a single 1.8V 1 Gbit (1,107,296,256 bits) NAND Electrically Erasa |
 Toshiba |
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| TC58NYG0S3EBAI4 | 1 GBIT (128M x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM | Toshiba |
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