R6015ENZ डाटा शीट PDF( Datasheet )

isc N-Channel MOSFET Transistor R6015ENZ FEATURES ·Drain Current –ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 290mΩ(Max) ·100% avalanche tes

R6015ENZ 　　Nch 600V 15A Power MOSFET 　　 Datasheet lOutline VDSS 600V 　 RDS(on)(Max.) 0.29Ω ID ±15A TO-3PF PD 120W 　 　　　　　　 lInner circuit lFeatures 1) Low on-resistanc