R6009JNX डाटा शीट PDF( Datasheet )

isc N-Channel MOSFET Transistor R6009JNX FEATURES ·Drain Current –ID=9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 585mΩ(Max) ·100% avalanche teste

R6009JNX 　　Nch 600V 9A Power MOSFET 　　 Datasheet lOutline VDSS 600V TO-220FM 　 RDS(on)(Max.) 0.585Ω 　 ID ±9A 　 PD 53W 　 　 　　　　　　 lFeatures 1) Fast reverse recov