NTH4L028N170M1 डाटा शीट PDF( Datasheet )

डेटा पत्रक ( Datasheet PDF )

भाग संख्या	विवरण	मैन्युफैक्चरर्स	PDF
NTH4L028N170M1	SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L NTH4L028N170M1 Features • Typ. RDS(on) = 28 mW @ VGS = 20 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 200 nC) • High Speed Switching	ON Semiconductor	PDF
NTH4L028N170M1	SiC MOSFET	ON Semiconductor	PDF

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