MIP2E1D डाटा शीट PDF( Datasheet )

I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60 IPD I MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4

(IPD) MIP2E1DMC ( MOS I • • ) Unit : mm (1.4) 10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1 3.0±0.5 0 to 0.5 1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 0.43 0.61 0.1 150

インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2E1DMS シリコン MOS 形集積回路  特　長  軽負荷時の消費電力を大幅に削減  各種保護回路機能内蔵によりリア�

Product Standards MIP2E1DMTSCF 種別／Type シリコンＭＯＳ形集積回路／Silicon MOSFET type Integrated Circuit 用途／Application ｽｲｯﾁﾝｸﾞ電源制御用／For a Switching Power Su

MIP2E1DMU MOS (IPD) ■ • • ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD 700 VC 10 ID 0.43 IDP 0.61 IC 0.1 Tch 150 Tstg −55 ∼ +150 V V A A A °C °C ■ • U-G4 • 1: Control 2: Source 3: Drain ■ : MIP2E