KT829A डाटा शीट PDF( Datasheet )

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= 3A ·Low Saturation Voltage ·Minimum Lot-to-Lot

Транзисторы биполярные n-p-n, составные Название КТ829А Ik max,A 8 Uкэo гр(Uкэо max)[Uкэr max],B100 Uкбо max,B 100 Pк max(P max),Вт 60 Tп max,C