JCS650S डाटा शीट PDF( Datasheet )
डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
| भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
| JCS650S | N-Channel MOSFET R
JCS650
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg
28.0A 200 V 0.085Ω 103nC
封装 Package
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET
用途
z 高频开关电源 z 电� |
 JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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| JCS650S | N-Channel MOSFET isc N-Channel MOSFET Transistor
JCS650S
FEATURES ·Drain Current –ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) =85mΩ(Max) ·100% avalanche tested |
 INCHANGE |
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