JCS3N25VT डाटा शीट PDF( Datasheet )

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS3N25T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 用途  高频开关电源  电子镇流器 

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS3N25T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 3 A VDSS 250 V Rdson（@Vgs=10V） 1.74Ω Qg 4.4 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子