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भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
IXBT12N300 | Bipolar MOS Transistor High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT12N300 IXBH12N300
VCES = IC110 = VCE(sat) ≤
3000V 12A 3.2V
Symbol
VCES VCGR VGES VGEM IC25 IICCM110 SSOA (RBSOA)
PC TJ TJM Tstg TTL |
IXYS |
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IXBT12N300 | Bipolar MOS Transistor | IXYS |
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