डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
IXBF12N300 | Monolithic Bipolar MOS Transistor High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
(Electrically Isolated Tab)
IXBF12N300
VCES = IC110 = VCE(sat) ≤
3000V 11A 3.2V
Symbol Test Conditions
VCES VCGR
VGES VGEM
IC25 IC110 |
IXYS |
|
IXBF12N300 | Monolithic Bipolar MOS Transistor | IXYS |
www.DataSheet.in | 2017 | संपर्क |