डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
HBR20150 | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20150
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
150 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
|
HBR20150F | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20150
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
150 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
|
HBR20150FR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20150
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
150 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
|
HBR20150HF | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20150
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
150 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
|
HBR20150HFR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20150
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
150 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
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HBR20150S | Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Rectifier
INCHANGE Semiconductor
HBR20150S
FEATURES ·With TO-220 packaging ·High junction temperature capability ·Low forward voltage drop ·High current capability ·Low power loss, high |
INCHANGE |
|
HBR20150S | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管
R
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20150S
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A 150 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
TO-22O
用途
� |
Jilin Sino |
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