GT25Q102 डाटा शीट PDF( Datasheet )

डेटा पत्रक ( Datasheet PDF )

भाग संख्या	विवरण	मैन्युफैक्चरर्स	PDF
GT25Q102	Silicon N-Channel IGBT GT25Q102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT25Q102 High Power Switching Applications Unit: mm The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed: tf = 0.32 µs (max) Low Saturation	Toshiba Semiconductor	PDF
GT25Q101	Silicon N-Channel IGBT	Toshiba Semiconductor	PDF
GT25Q102	Silicon N-Channel IGBT	Toshiba Semiconductor	PDF

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