डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
CT3401-R3 | P-Channel MOSFET CT3401-R3 P-Channel Enhancement MOSFET
Features
• Drain-Source Breakdown Voltage VDSS - 30 V • Drain-Source On-Resistance
RDS(ON) 53mΩ, at VGS= - 10V, IDS= - 4.1A RDS(ON) 64mΩ, at VGS= - 4.5V, IDS= - 4 |
CT Micro |
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CT3401-R3 | P-Channel MOSFET | CT Micro |
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