डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
3DD103E | NPN Transistor isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 800V(Min.) ·DC Current Gain-
: hFE= 10(Min.)@IC= 1.5A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 4V(Max |
INCHANGE |
|
3DD103E | NPN Transistor | INCHANGE |
www.DataSheet.in | 2017 | संपर्क |