30J101 डाटा शीट PDF( Datasheet )
डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
| भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
| 30J101 | Silicon N-Channel IGBT Preliminary
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT30J101
High Power Switching Applications
GT30J101
Unit: mmç
• The 3rd Generation • Enhancement-Mode • High Speed: tf = 0 |
 Toshiba |
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| 30J101 | Silicon N-Channel IGBT | Toshiba |
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