डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
2SD317 | NPN Transistor isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SD317
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 60V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 3. |
INCHANGE |
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2SD317 | NPN Transistor 保 守廃止最h新保ttpの守:一/情/w予括報w定しwは品.てsホe種保mー、i守cム保o廃nペ守.止pーa品とnジ種a表をs、o記ごn廃iしc覧.予cてくo定.いjだp品まさ種すい、。 |
Panasonic |
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2SD317A | NPN Transistor 保 守廃止最h新保ttpの守:一/情/w予括報w定しwは品.てsホe種保mー、i守cム保o廃nペ守.止pーa品とnジ種a表をs、o記ごn廃iしc覧.予cてくo定.いjだp品まさ種すい、。 |
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