डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
1SS417CT | Silicon Diode TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
1SS417CT
1SS417CT
High Speed Switching Application
Unit: mm
CATHODE MARK 1.0±0.05 0.25±0.03 0.25±0.03
0.65 0.05±0.03
• Small package
• Low forw |
Toshiba |
|
1SS417CT | Silicon Diode | Toshiba |
www.DataSheet.in | 2017 | संपर्क |