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LP2301ALT1G डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - P-Channel Enhancement-Mode MOSFET - LRC

भाग संख्या LP2301ALT1G
समारोह P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स LRC 
लोगो LRC लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=LP2301ALT1G?> डेटा पत्रक पीडीएफ

LP2301ALT1G pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LP2301ALT1G , S-LP2301ALT1G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol Parameter
Limit
STATIC
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(ON)
VSD
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current
Zero Gate Voltage Drain Current
Drain-Source On-Resistance a
Diode Forward Voltage
VGS=0V, ID=-250μA
VDS=VGS, ID=-250μA
VDS=0V, VGS=±8V
VDS=-20V, VGS=0V
VGS=-4.5V, ID= -2.8A
VGS=-2.5V, ID= -2.0A
IS=-1A, VGS=0V
DYNAMIC
Qg Total Gate Charge
Qgs Gate-Source Charge
Qgd Gate-Drain Charge
VDS=-6V, VGS=-4.5V,
ID=-2.8A
Rg Gate resistance
VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
VDS=-15V, VGS=0V,
f=1MHz
td(on)
Turn-On Delay Time
tr Turn-On Rise Time
VDS=-6V, RL =6Ω
td(off)
Turn-Off Delay Time
RGEN=6Ω, VGS=-4.5V
tf Turn-Off Fall time
Notes: a. Pulse test; pulse width 300us, duty cycle2%
Min Typ Max Unit
-20 V
-0.4 -0.6 -1
V
±100 nA
-1 μA
90 110
mΩ
110 150
-0.7 -1.4
V
7.2
2.2 nC
1.2
7.5
480
46 pF
10
50
30
ns
40
11
Rev .O 2/5

विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
LP2301ALT1GP-Channel Enhancement-Mode MOSFETLRC
LRC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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