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HWL30YRA डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - L-Band GaAs Power FET - Hexawave

भाग संख्या HWL30YRA
समारोह L-Band GaAs Power FET
मैन्युफैक्चरर्स Hexawave 
लोगो Hexawave लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=HWL30YRA?> डेटा पत्रक पीडीएफ

HWL30YRA pdf
Typical Performance at 25°C
Output Power & Efficiency & Gain vs Input Power
@ f=1.9GHz, Vds=10.0V, Ids= 0.5 Idss
HWL30YRA
L-Band Power GaAs FET
Autumn 2002 V1
Po (dBm)
40
PAE (%)
60
30
20
Gain
10
50
Po
40
Gain
30 Eff
20
10
00
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 Pin (dBm)
Output Power & Efficiency & Gain vs Input Power
@ f=2.4GHz, Vds=10.0V, Ids= 0.5 Idss
Po (dBm)
40
30
20
Gain
10
0
0
PAE (%)
60
50
Po
40 Gain
30 Eff
20
10
0
5 10 15 20 Pin (dBm)
Hexawave Inc. 2 Prosperity Road II, Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.. TEL 886-3-578-5100 FAX 886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw Email: sales@hw.com.tw All specifications are subject to change without notice.

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
HWL30YRAL-Band GaAs Power FETHexawave
Hexawave


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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