DataSheet.in

3SK233 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET - Hitachi Semiconductor

भाग संख्या 3SK233
समारोह Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
मैन्युफैक्चरर्स Hitachi Semiconductor 
लोगो Hitachi Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=3SK233?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3SK233 pdf
3SK233
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol Min Typ Max Unit Test condition
———————————————————————————————————————————————–
Drain to source breakdown voltage
V(BR)DSX 12 — — V
ID = 200 µA, VG1S =
–5 V, VG2S = –5 V
———————————————————————————————————————————————–
Gate 1 to source breakdown voltage V(BR)G1SS ±10 — — V
IG1 = ±10 µA,
VG2S = VDS = 0
———————————————————————————————————————————————–
Gate 2 to source breakdown voltage V(BR)G2SS ±10 — — V
IG2 = ±10 µA,
VG1S = VDS = 0
———————————————————————————————————————————————–
Gate 1 cutoff current
IG1SS
— — ±100 nA VG1S = ±8 V,
VG2S = VDS = 0
———————————————————————————————————————————————–
Gate 2 cutoff current
IG2SS
— — ±100 nA VG2S = ±8 V,
VG1S = VDS = 0
———————————————————————————————————————————————–
Drain current
IDSS
0 — 2 mA VDS = 6 V, VG1S = 0,
VG2S = 3 V
———————————————————————————————————————————————–
Gate 1 to source cutoff voltage
VG1S(off) –0.7 — +0.7 V
VDS = 10 V, VG2S = 3 V,
ID = 100 µA
———————————————————————————————————————————————–
Gate 2 to source cutoff voltage
VG2S(off) –0.1 — +0.8 V
VDS = 10 V, VG1S = 3 V,
ID = 100 µA
———————————————————————————————————————————————–
Forward transfer admittance
|yfs| 14 — — mS VDS = 6 V, VG2S = 3 V,
ID = 10 mA, f = 1 kHz
———————————————————————————————————————————————–
Input capacitance
Ciss
0.9 1.25 1.8 pF VDS = 6 V, VG2S = 3 V,
———————————————————————————————————– ID = 10 mA, f = 1 MHz
Output capacitance
Coss
0.4 0.7 1.2 pF
———————————————————————————————————–
Reverse transfer capacitance
Crss
— 0.015 0.03 pF
———————————————————————————————————————————————–
Power gain
PG 16 19.4 — dB VDS = 4 V, VG2S = 3 V,
———————————————————————————————————– ID = 10 mA, f = 900 MHz
Noise figure
NF
— 2.8 4
dB
———————————————————————————————————————————————–

विन्यास 5 पेज
डाउनलोड[ 3SK233 Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3SK231MOS FIELD EFFECT TRANSISTORNEC
NEC
3SK233Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English