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J297 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon P-Channel MOS FET - Hitachi

भाग संख्या J297
समारोह Silicon P-Channel MOS FET
मैन्युफैक्चरर्स Hitachi 
लोगो Hitachi लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=J297?> डेटा पत्रक पीडीएफ

J297 pdf
2SJ297(L), 2SJ297(S)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body to drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. Value at TC = 25°C
3. Value at Tch = 25°C, Rg 50
Symbol
VDSS
VGSS
ID
I *1
D(pulse)
IDR
IAP*3
EAR*3
Pch*2
Tch
Tstg
Ratings
–60
±20
–20
–80
–20
–20
34
60
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
J291 2SJ291Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
J297Silicon P-Channel MOS FETHitachi
Hitachi


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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