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ST25N10 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel Enhancement Mode MOSFET - STANSON

भाग संख्या ST25N10
समारोह N-Channel Enhancement Mode MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स STANSON 
लोगो STANSON लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=ST25N10?> डेटा पत्रक पीडीएफ

ST25N10 pdf
ST25N10
N Channel Enhancement Mode MOSFET
25.0A
SOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25Unless otherwise noted )
Parameter
Symbol Typical
Drain-Source Voltage
VDSS
100
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
(TJ=150)
Pulsed Drain Current
TA=25
TA=100
VGSS
ID
IDM
±20
25.0
16.0
75
Continuous Source Current (Diode Conduction)
IS
25
Power Dissipation
TA=25
PD
79
Operation Junction Temperature
TJ 150
Storgae Temperature Range
TSTG
-55/150
Thermal Resistance-Junction to Ambient
RθJA
110
Unit
V
V
A
A
A
W
/W
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
www.stansontech.com
Copyright © 2009, Stanson Corp.
ST25N10 2013. V1

विन्यास 6 पेज
डाउनलोड[ ST25N10 Datasheet.PDF ]


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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
ST25N10N-Channel Enhancement Mode MOSFETSTANSON
STANSON


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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