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F25JZ51 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - SF25JZ51 - Toshiba

भाग संख्या F25JZ51
समारोह SF25JZ51
मैन्युफैक्चरर्स Toshiba 
लोगो Toshiba लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=F25JZ51?> डेटा पत्रक पीडीएफ

F25JZ51 pdf
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Repetitive Peak OffState Current and
Repetitive Peak Reverse Current
Peak OnState Voltage
Gate Trigger Voltage
Gate Trigger Current
Holding Current
Critical Rate of Rise of OffState Voltage
Thermal Resistance
IDRM
IRRM
VTM
VGT
IGT
IH
dv / dt
Rth (jc)
VDRM = VRRM = Rated
ITM = 80 A
VD = 6 V, RL = 10
VD = 6 V, ITM = 500 mA
VDRM = Rated, Tc = 125°C
Exponential Rise
Junction to Case
SF25GZ51,SF25JZ51
MIN. TYP. MAX. UNIT
― ― 20 µA
― ― 1.5 V
― ― 1.5 V
― ― 20 mA
― ― 100 mA
50 V / µs
1.3 °C / W
MARKING
NUMBER
*1
TYPE
SYMBOL
SF25GZ51
SF25JZ51
MARK
F25GZ51
F25JZ51
Example
*2
8A : January 1998
8B : February 1998
8L : December 1998
2 2001-05-10

विन्यास 6 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
F25JZ51SF25JZ51Toshiba
Toshiba


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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