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DSEI30-10A डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Fast Recovery Epitaxial Diode - IXYS

भाग संख्या DSEI30-10A
समारोह Fast Recovery Epitaxial Diode
मैन्युफैक्चरर्स IXYS 
लोगो IXYS लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=DSEI30-10A?> डेटा पत्रक पीडीएफ

DSEI30-10A pdf
DSEI 30, 1000 V
Fig. 1 Forward current
versus voltage drop.
Fig. 2 Recovery charge versus -di /dt.
F
Fig. 3 Peak reverse current versus
-diF/dt.
Fig. 4 Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 5 Recovery time versus -diF/dt.
Dimensions
Fig. 6 Peak forward voltage
versus diF/dt.
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 19.81 20.32
B 20.80 21.46
C 15.75 16.26
D 3.55 3.65
E 4.32 5.49
F 5.4 6.2
G 1.65 2.13
H - 4.5
J 1.0 1.4
K 10.8 11.0
L 4.7 5.3
M 0.4 0.8
N 2.2 2.54
Inches
Min. Max.
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
- 0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case.
© 2000 IXYS All rights reserved
2-2
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विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
DSEI30-10AFast Recovery Epitaxial DiodeIXYS
IXYS
DSEI30-10ARFast Recovery Epitaxial DiodeIXYS
IXYS


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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