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GL120HF120T1H डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - IGBT - SilverMicro

भाग संख्या GL120HF120T1H
समारोह IGBT
मैन्युफैक्चरर्स SilverMicro 
लोगो SilverMicro लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=GL120HF120T1H?> डेटा पत्रक पीडीएफ

GL120HF120T1H pdf
IGBT的电气特性 TJ = 25,除非另作说明)
符号
参数
测试条件
关断特性
V(BR)CES
V(BR)CES
/TJ
ICES
集电极-发射极击穿电压
击穿电压温度系数
集电极-发射极漏电流
IGES
导通特性
VGE(th)
VCE(sat)
开关特性
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
Qg
门极-发射极漏电流
门极-发射极阈值电压
集电极-发射极饱和电压
开通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
开通损耗
关断损耗
总开关损耗
开通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
开通损耗
关断损耗
总开关损耗
门极充电电量
RBSOA 反向安全工作区
SCSOA 短路安全工作区
VGE = 0V, IC = 1mA
VGE = 0V, IC = 1mA
VGE = 0V,
VCE = VCES
VGE = VGES,
VCE = 0V
TJ = 25
TJ = 125
TJ = 25
TJ = 125
IC = 3 mA, VCE = VGE
IC = 120A ,
VGE = 15V
TJ = 25
TJ = 125
VCC = 600V, IC = 120A ,
RG = 15, VGE =±15V ,
感性负载, TJ = 25
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VCC = 600V, IC = 120A,
RG = 15, VGE =±15V,
感性负载, TJ = 125
VCE = 600V, IC = 120A,
VGE = -15V ~ +15V
IC = 360A ,VCC = 960V,
Vp =1200V,
Rg = 4.7, VGE = +15V to
0V, TJ =150°C
VCC = 600V, VGE = 15V,
TJ = 150
最小
典型
最大
单位
1200
0.6
V
V/
1 mA
3 mA
200 nA
400 nA
4.5 5.1 7.0
2.6
3.0
V
V
V
200
120
560
150
10.5
6.2
16.7
190
140
630
200
12.2
9.2
21.4
1270
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
方形
10 μs
www.njsme.com
Page 2 Rev. 01
06/15/2009
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
GL120HF120T1HIGBTSilverMicro
SilverMicro


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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