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FMH23N50E डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET - Fuji Electric

भाग संख्या FMH23N50E
समारोह N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स Fuji Electric 
लोगो Fuji Electric लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=FMH23N50E?> डेटा पत्रक पीडीएफ

FMH23N50E pdf
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FMH23N50E
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
350
300
250
200
150
100
50
0
0 25 50 75 100 125
Tc [° C]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25°C
70
150
60
10V
50 6.0V
5.5V
40
30 5.0V
20
VGS=4.5V
10
0
0 4 8 12 16 20
VDS [V]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C
100
24
10
1
0.1
0.1
1
ID [A]
10
100
FUJI POWER MOSFET
Safe Operating Area
ID=f(VDS):Duty=0(Single pulse),Tc=25°C
102
t=
1µs
10µs
101 100µs
100 1ms
10-1
10-2
Power loss waveform :
Square waveform
PD
t
10-3
100
101
VDS [V]
102
D.C.
103
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
100
10
1
0.1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS[V]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C
0.9
0.8 VGS=4.5V
0.7
5.0V
0.6
0.5
0.4
5.5V 6.0V
10V
0.3
0.2
0.1
0.0
0 10 20 30 40 50 60
ID [A]
2
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विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
FMH23N50EN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFuji Electric
Fuji Electric
FMH23N50ESN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFuji Electric
Fuji Electric


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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