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FMH19N60ES डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET - Fuji Electric

भाग संख्या FMH19N60ES
समारोह N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स Fuji Electric 
लोगो Fuji Electric लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=FMH19N60ES?> डेटा पत्रक पीडीएफ

FMH19N60ES pdf
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FMH19N60ES
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
350
300
250
200
150
100
50
0
0 25 50 75 100
Tc [°C]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C
50
125
150
10V
40 8.0V
7.5V
30 7.0V
20
6.5V
10 VGS=6.0V
0
0 4 8 12 16 20 24
VDS [V]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C
100
10
1
0.1
0.1
1
ID [A]
10
100
FUJI POWER MOSFET
Safe Operating Area
ID=f(VDS):Duty=0(Single pulse),Tc=25 °c
102
101
100
t=
1µs
10µs
100µs
1ms
10-1
10-2
Power loss waveform :
Square waveform
PD
t
10-3
100
101
VDS [V]
102
103
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C
100
10
1
0.1
0 2 4 6 8 10 12
VGS[V]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25 °C
0.50
VGS=6.0V
6.5V
0.45
7V 8V 10V
20V
0.40
0.35
0.30
0.25
0
5 10 15 20 25 30 35 40
ID [A]
2
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विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
FMH19N60EN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFuji Electric
Fuji Electric
FMH19N60ESN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFuji Electric
Fuji Electric


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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