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FZ2400R12KF4 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - IGBT Modules - Eupec GmbH

भाग संख्या FZ2400R12KF4
समारोह IGBT Modules
मैन्युफैक्चरर्स Eupec GmbH 
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FZ2400R12KF4 pdf
FZ 2400 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
collector-emitter voltage
DC-collector current
tvj = 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
tp=1 ms
tC=25°C, Transistor / Transistor
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
VCES
IC
ICRM
Ptot
VGE
IF
IFRM
VISOL
1200 V
2400 A
4800 A
15 kW
± 20 V
2400 A
4800 A
2,5 kV
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
www.DataSKohleleektt4oUr-E.cmoimtter Reststrom
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Charakteristische Werte / Characteristic values
iC=2,4kA, vGE=15V, Tvj=25°C
iC=2,4kA, vGE=15V, Tvj=125°C
iC=96mA, vCE=vGE, Tvj=25°C
fO=1MHz,Tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C
vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C
vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
VLR=15V,RG=0,47, Tvj=25°C
VLR=15V,RG=0,47, Tvj=125°C
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
VLR=15V,RG=0,47, Tvj=25°C
VLR=15V,RG=0,47, Tvj=125°C
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
VLR=15V,RG=0,47, Tvj=25°C
VLR=15V,RG=0,47, Tvj=125°C
vCE sat
vGE(th)
Cies
iCES
iGES
iEGS
ton
ts
tf
- 2,7
- 3,4
4,5 5,5
- 170
- 48
- 240
--
--
- 0,7
- 0,8
- 0,9
- 1,0
- 0,1
- 0,15
3,2 V
4V
6,5 V
- nF
- mA
- mA
600 nA
600 nA
- µs
- µs
- µs
- µs
- µs
- µs
Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
Rückstromspitze
turn-on energy loss per pulse
turn-off energy loss per pulse
forward voltage
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
LS=40nH,RG=0,47, Tvj=125°C
iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V
LS=40nH,RG=0,47, Tvj=125°C
iF=2400A, vGE=0V, Tvj=25°C
iF=2400A, vGE=0V, Tvj=125°C
iF=2,4kA, -diF/dt=12kA/µs
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C
iF=2,4kA, -diF/dt=12kA/µs
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C
Transistor / transistor, DC
Diode /diode, DC
pro Module / per Module
Eon
Eoff
vF
IRM
Qr
RthJC
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
- 310
- mWs
- 410
- 2,2
-2
- mWs
2,7 V
2,5 V
- 750
- 1200
-A
-A
- 80
- 270
- µAs
- µAs
0,0084 °C/W
0,014 °C/W
typ. 0,006 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigungmounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsseterminal connection torque
Gewicht
weight
terminals M6 / tolerance ±15%
terminals M4 / tolerance +5 / -10%
terminals M8
M1
M2
G
Al2O3
5 Nm
2 Nm
8...10 Nm
ca. 2300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
vL = ±15V
vCEM = 850 V
RGF = RGR = 0,47
iCMK1 15000 A
tvj = 125°C
iCMK2 13000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions vCEM = VCES - 12nH x |dic/dt|

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
FZ2400R12KF4IGBT ModulesEupec GmbH
Eupec GmbH


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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